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      Rohm

      DTA114EU3HZGT106

      Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3

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      DTA114EU3HZGT106 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@10mA,500uA
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 阻抗
        10 kΩ
      • 轉換頻率
        250 MHz
      • 電流增益 hFE@5mA,5V
        30
      • 晶體管類型
        1個PNP-預偏置
      • 功率耗散
        200 mW

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        SOT-323(SC-70)

      Compliance

      • 無鉛
        Y

      DTA114EU3HZGT106 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DTA114EU3HZGT106 數(shù)據(jù)手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Element14

      DTA114EU3HZGT106 圖片

      • Huaqiu Chip

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