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      Renesas Electronics

      ISL6614IBZ

      MOSFET DRVR 3A 4-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 14-Pin SOIC N

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      ISL6614IBZ 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        半橋
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        4
      • 輸出端數(shù)量
        4
      • 輸出電流
        3 A
      • 類型
        N通道 MOSFET
      • 電源電壓
        10.8 V, 13.2 V
      • 電壓(Min)
        10.8 V
      • 功率耗散
        1 W
      • 供電電流
        7.1 mA
      • 下降時間
        18 ns
      • 上升時間
        26 ns

      Physical

      • 工作溫度
        -40 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      ISL6614IBZ 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • isl6614-datasheet
        1年前
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