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      Rohm

      RS1E280GNTB

      MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

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      RS1E280GNTB 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        28 A
      • 輸入偏置電容
        2.3 nF
      • 漏源電阻
        2.6 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        2.6 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        36 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        19.9 ns
      • 功率耗散
        3 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        61.3 ns
      • 下降時間
        18 ns
      • 上升時間
        12.3 ns

      Physical

      • 重量
        0.00249 oz
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerTDFN8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      RS1E280GNTB 數(shù)據(jù)手冊

      RS1E280GNTB 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell

      • Digikey

        Digikey