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      Infineon

      BSB012NE2LXIXUMA1

      With the OptiMOS? 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package, MG-WDSON-2, RoHS

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      BSB012NE2LXIXUMA1 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        170 A
      • 輸入偏置電容
        5.852 nF
      • 漏源電阻
        1.2 mΩ
      • 漏源電壓
        25 V
      • 漏源極擊穿電壓
        25 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        1.2 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷
        82 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        57 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        34 ns
      • 下降時(shí)間
        4.6 ns
      • 上升時(shí)間
        6 ns

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Nickel
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -40 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        WDSON3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes

      BSB012NE2LXIXUMA1 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BSB012NE2LXIXUMA1 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      BSB012NE2LXIXUMA1 圖片