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      JSCJ

      MMBT3904M 1N

      晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):100mW;集電極截止電流(Icbo):50nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;特征頻率(fT):300MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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      MMBT3904M 1N 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        200 mA
      • 集電極截止電流
        50 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@50mA,5mA
        300 mV
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        300 MHz
      • 電流增益 hFE@10mA,1V
        100
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        100 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-723

      MMBT3904M 1N 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      MMBT3904M 1N 圖片