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      ON Semiconductor

      TIL117M

      OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP

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      TIL117M 器件參數(shù)

      Function

      • 額定功率
        250 mW
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@0.5mA,10mA
        400 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        30 V
      • 隔離電壓
        4.17 kV
      • 通道數(shù)量
        1
      • 輸出類型
        光電三極管
      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 輸出電壓
        30 V
      • 輸入類型
        DC
      • 輸入電流
        16 mA, 60 mA
      • 輸入電壓類型
        DC
      • 電流傳遞比
        50 %
      • 正向電流
        60 mA
      • 正向電壓
        1.18 V
      • 回路數(shù)量
        1
      • 反向電壓
        6 V
      • 反向擊穿電壓
        6 V
      • 功率耗散
        250 mW
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        2 μs
      • 上升時間
        2 μs

      Physical

      • 重量
        0.030159 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        100 °C
      • 工作溫度
        100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DIP-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        3.53 mm
      • 長度
        8.89 mm
      • 寬度
        6.6 mm

      TIL117M EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TIL117M 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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