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      Rohm

      R6046FNZC8

      MOSFET, N-CH, 600V, 46A, TO-3PF; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 46A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 130W; Transistor Case Style: TO-3PF; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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      R6046FNZC8 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        46 A
      • 輸入偏置電容
        6.1 nF
      • 漏源電阻
        93 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        93 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷@10V
        150 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 功率耗散
        120 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        230 ns
      • 下降時(shí)間
        80 ns
      • 上升時(shí)間
        150 ns

      Physical

      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Bulk
      • 包裝數(shù)量
        360
      • 制造商封裝
        TO-220-3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free

      R6046FNZC8 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來(lái)源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Farnell

      R6046FNZC8 圖片

      • Huaqiu Chip

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