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      ON Semiconductor

      MUN5135DW1T1G

      Dual PNP Bias Resistor Transistors, R1=2.2 kOhm, R2=47 kOhm, PNP Transistor, 6-Pin SOT-363, Pb-Free, Tape and Reel

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      MUN5135DW1T1G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -100 mA
      • 額定電壓
        -50 V
      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@10mA,300uA
        250 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        50 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 配置
        Dual
      • 電流增益 hFE@5mA,10V
        80
      • 極性
        Dual PNP
      • 晶體管類型
        2個(gè)PNP-預(yù)偏置
      • 功率耗散
        250 mW
      • 擊穿電壓
        50 V

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SC-88-6

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • 無鹵素
        Halogen Free
      • RoHS
        Yes

      MUN5135DW1T1G EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      MUN5135DW1T1G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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        來源
      • pYYBAGPC1IOAezSpAARxmgANewg228.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 0
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
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