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      STMicroelectronics

      L6384ED

      IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO

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      L6384ED 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        半橋
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        2
      • 頻率
        400 kHz
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        650 mA
      • 輸出電壓
        580 V
      • 負(fù)載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道 MOSFET
      • 等級
        Industrial
      • 電源電壓(Min)
        14.6 V
      • 電源電壓(Max)
        16.6 V
      • 電壓(Min)
        14.6 V
      • 電壓(Max)
        16.6 V
      • 接通延遲時間
        200 ns
      • 峰值脈沖電流
        400 mA, 650 mA
      • 功率耗散
        750 mW
      • 關(guān)閉延遲時間
        300 ns
      • 供電電流
        25 mA
      • 傳播延遲
        300 ns
      • 下降時間
        30 ns
      • 上升時間
        50 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        125 °C
      • 工作溫度(Min)
        -45 °C
      • 工作溫度(Max)
        125 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        100
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.25 mm
      • 長度
        4.9 mm
      • 寬度
        3.9 mm

      L6384ED EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      L6384ED 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • L6384ED
        1年前
        Huaqiu Chip

      L6384ED 圖片

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip