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      ON Semiconductor

      FDD4N60NZ

      MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK

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      FDD4N60NZ 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        3.4 A
      • 輸入偏置電容
        510 pF
      • 漏源電阻
        1.9 Ω
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        2.5 Ω
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷@10V
        10.8 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        12.7 ns
      • 功率耗散
        114 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        30.2 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        12.8 ns
      • 上升時(shí)間
        15.1 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        DPAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        2.39 mm
      • 長度
        6.73 mm
      • 寬度
        6.22 mm

      FDD4N60NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      FDD4N60NZ 圖片

      • Element14

        Element14

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey