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ON Semiconductor

FDD4N60NZ

MOSFET N-CH 600V 3.4A DPAK

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FDD4N60NZ 器件參數(shù)

Function

  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    3.4 A
  • 輸入偏置電容
    510 pF
  • 漏源電阻
    1.9 Ω
  • 漏源電壓
    600 V
  • 漏源極擊穿電壓
    600 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    2.5 Ω
  • 柵源電壓
    25 V
  • 柵極電荷@10V
    10.8 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    12.7 ns
  • 功率耗散
    114 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    30.2 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    12.8 ns
  • 上升時(shí)間
    15.1 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 包裝數(shù)量
    1
  • 制造商封裝
    DPAK

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

FDD4N60NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)

FDD4N60NZ 圖片

  • Element14

    Element14

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Digikey

    Digikey