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      Microchip Technology

      MCP14E5-E/SN

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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      MCP14E5-E/SN 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        低邊
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        2
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        4 A
      • 負載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道, P通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        4.5 V
      • 電源電壓(Max)
        18 V
      • 電壓(Min)
        4.5 V
      • 電壓(Max)
        18 V
      • 特性
        Enable pin
      • 接通延遲時間
        60 ns
      • 峰值脈沖電流
        4 A
      • 功率耗散
        665 mW
      • 供電電流
        2 mA, 750 μA
      • 傳播延遲
        60 ns
      • 下降時間
        18 ns
      • 上升時間
        15 ns

      Physical

      • 配置
        Complementary
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -40 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        100
      • 制造商封裝
        SOP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.25 mm
      • 長度
        4.9 mm
      • 寬度
        3.9 mm

      MCP14E5-E/SN EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      MCP14E5-E/SN 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      MCP14E5-E/SN 圖片

      • Huaqiu Chip

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