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      Littelfuse

      IXFQ28N60P3

      MOSFET N-CH 600V 28A TO3P

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      IXFQ28N60P3 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        28 A
      • 輸入偏置電容@25V
        3.56 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        260 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@14A,10V
        260 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        260 mΩ
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵源極閾值電壓@2.5mA
        5 V
      • 柵極電荷@10V
        50 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        27 ns
      • 功率耗散
        695 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        48 ns
      • 下降時(shí)間
        19 ns
      • 上升時(shí)間
        18 ns

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-3P

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      Dimension

      • 高度
        20.3 mm
      • 長度
        15.8 mm
      • 寬度
        4.9 mm

      IXFQ28N60P3 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IXFQ28N60P3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IXFQ28N60P3 圖片

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      • Huaqiu Chip

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