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      MSKSEMI

      MMDT3946

      晶體管類型：1個NPN,1個PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：40V 集電極電流(Ic)：200mA 功率(Pd)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：50nA 集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征頻率(fT) 300MHz；250MHz 工作溫度 +150℃@(Tj)

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      MMDT3946 器件參數(shù)

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        SOT-323-6

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