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      Microchip Technology

      1N5812

      DIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA

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      1N5812 器件參數(shù)

      Function

      • 重復(fù)反向電壓
        50 V
      • 配置
        Single
      • 正向電流
        20 A
      • 正向電壓
        950 mV
      • 平均整流電流
        20 A
      • 峰值非重復(fù)浪涌電流
        400 A
      • 峰值反向電壓
        50 V
      • 容值
        300 pF
      • 反向電壓
        50 V
      • 反向漏電流
        10 μA
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        15 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        2
      • 工作溫度
        -65 °C, 175 °C
      • 安裝方式
        Stud
      • 包裝方式
        Bulk
      • 制造商封裝
        DO-203AA

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        No

      1N5812 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 7bc630fa8f64b1025ee362bf88ccc33f.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      1N5812 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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        Digikey