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      3天內不再提示

      Vishay

      SI4410BDY-T1-GE3

      N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W

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      SI4410BDY-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        1 V
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        7.5 A
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        13.5 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導通電阻@10V,10A
        13.5 mΩ
      • 漏源導通電阻
        13.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        3 V
      • 柵極電荷@5V
        20 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        10 ns
      • 功率耗散
        1.4 W
      • 關閉延遲時間
        40 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        15 ns
      • 上升時間
        10 ns

      Physical

      • 重量
        0.006596 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.55 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      SI4410BDY-T1-GE3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SI4410BDY-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Element14

      SI4410BDY-T1-GE3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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