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      Vishay

      SI4288DY-T1-GE3

      MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

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      SI4288DY-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        1.2 V
      • 配置
        Dual
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        9.2 A
      • 輸入偏置電容
        580 pF
      • 漏源電阻
        20 mΩ
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        20 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        15 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(雙)
      • 功率耗散
        2 W, 3.1 W
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        8 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.01787 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      SI4288DY-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SI4288DY-T1-GE3
        1年前
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