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      ON Semiconductor

      FDMS86102LZ

      MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

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      FDMS86102LZ 器件參數(shù)

      Function

      • 閘/源截止電壓
        1.5 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        7 A
      • 輸入偏置電容
        1.305 nF
      • 漏源電阻
        37 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻
        25 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        22 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        6.7 ns
      • 功率耗散
        69 W
      • 關閉延遲時間
        19 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        2.5 ns
      • 上升時間
        2.6 ns

      Physical

      • 配置
        Single
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        Power-56-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.05 mm
      • 長度
        5 mm
      • 寬度
        6 mm

      FDMS86102LZ 數(shù)據(jù)手冊

      FDMS86102LZ 圖片

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        Huaqiu Chip

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        Future