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      STMicroelectronics

      STGP19NC60KD

      IGBT 600V 35A 125W TO220

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      STGP19NC60KD 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        35 A
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        600 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電壓
        600 V
      • 柵極電荷
        55 nC
      • 接通延遲時間
        30 ns
      • 反向恢復(fù)時間
        31 ns
      • 功率耗散
        125 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        105 ns

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      STGP19NC60KD EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STGP19NC60KD 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Future
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • STGP19NC60KD
        1年前
        Huaqiu Chip

      STGP19NC60KD 圖片

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      • Huaqiu Chip

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