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      WILLSEMI

      WNM2021-3/TR

      MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323

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      WNM2021-3/TR 器件參數(shù)

      Function

      • 輸入偏置電容
        50 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,550mA
        310 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        850 mV
      • 柵極電荷
        1.15 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 反向傳輸電容
        8 pF
      • 功率耗散
        310 mW
      • 擊穿電壓
        20 V

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        3000pcs
      • 制造商封裝
        SOT-323(SC-70)

      Compliance

      • 無鉛
        Yes

      WNM2021-3/TR 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • WNM2021_WILLSEMI.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      WNM2021-3/TR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip