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WILLSEMI

WNM2021-3/TR

MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=0.89A RDS(on)=310mΩ SOT323

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WNM2021-3/TR 器件參數(shù)

Function

  • 輸入偏置電容
    50 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,550mA
    310 mΩ
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    850 mV
  • 柵極電荷
    1.15 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 反向傳輸電容
    8 pF
  • 功率耗散
    310 mW
  • 擊穿電壓
    20 V

Physical

  • 安裝方式
    SMT
  • 包裝方式
    3000pcs
  • 制造商封裝
    SOT-323(SC-70)

Compliance

  • 無鉛
    Yes

WNM2021-3/TR 數(shù)據(jù)手冊

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    來源
  • WNM2021_WILLSEMI.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

WNM2021-3/TR 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip