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      Rohm

      DTD123YCT116

      NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR

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      DTD123YCT116 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        500 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@2.5mA,50mA
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        200 MHz
      • 電流增益 hFE@50mA,5V
        56
      • 晶體管類型
        1個(gè)NPN-預(yù)偏置
      • 功率耗散
        200 mW
      • 擊穿電壓
        50 V

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SST-3

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      DTD123YCT116 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DTD123YCT116 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Farnell

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