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      IXDI609SIATR

      IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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      IXDI609SIATR 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動(dòng)配置
        低邊
      • 驅(qū)動(dòng)器數(shù)量
        1
      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 負(fù)載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道, P通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        4.5 V
      • 電源電壓(Max)
        35 V
      • 電壓(Min)
        4.5 V
      • 電壓(Max)
        35 V
      • 峰值脈沖電流
        9 A
      • 供電電流
        10 μA
      • 下降時(shí)間
        15 ns
      • 上升時(shí)間
        22 ns

      Physical

      • 重量
        0.019048 oz
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      IXDI609SIATR EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IXDI609SIATR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • IXD_609.pdf
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