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      Vishay

      SI7119DN-T1-E3

      MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8

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      SI7119DN-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        3.8 A
      • 輸入偏置電容
        666 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電阻
        1.05 Ω
      • 漏源電壓
        200 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -200 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1A
        1.05 Ω
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        1.05 Ω
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        25 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        9 ns
      • 功率耗散
        52 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        27 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        12 ns
      • 上升時(shí)間
        11 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -50 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerPAK1212-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        1.04 mm
      • 長(zhǎng)度
        3.05 mm
      • 寬度
        3.05 mm

      SI7119DN-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • SI7119DN-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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