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      ON Semiconductor

      NVMFD5C478NLWFT1G

      40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU

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      NVMFD5C478NLWFT1G 器件參數

      Function

      • 閾值電壓
        2.2 V
      • 連續(xù)漏極電流
        29 A
      • 輸入偏置電容@25V
        420 pF
      • 類型
        2個N溝道
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源導通電阻@10V,7.5A
        12.1 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@20uA
        2.2 V
      • 柵極電荷@4.5V
        3.9 nC
      • 晶體管類型
        2個N溝道(雙)
      • 反向傳輸電容@25V
        9 pF
      • 功率耗散
        23 W
      • FET功能
        Standard

      Physical

      • 配置
        Dual
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        DFN-8(4.9x5.9)

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      NVMFD5C478NLWFT1G 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • nvmfd5c478nl-d.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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