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Infineon

IHW30N90T

900?V IGBT in TrenchStop? and Fieldstop Technology with Anti-Parallel Diode, 60?A IC, -40 to 175 degC, PG-TO247-3-44, Tube, Green

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IHW30N90T 器件參數

Function

  • 集電極電流
    30 A
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    1.5 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    900 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    900 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    280 nC
  • 晶體管類型
    Trench Field Stop
  • 功率耗散
    428 W

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -40 °C, 175 °C
  • 安裝方式
    DIP
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    240
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

IHW30N90T EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

IHW30N90T 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • INFNS12974-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip
  • Rev. 2.3
    1年前
    Altium Library

IHW30N90T 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip