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Infineon

IPG20N04S409ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

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IPG20N04S409ATMA1 器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    20 A
  • 輸入偏置電容@25V
    2.25 nF
  • 類型
    2個N溝道
  • 漏源電壓
    40 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,17A
    8.6 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@22uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    28 nC
  • 極性
    N+N
  • 接通延遲時間
    12 ns
  • 技術(shù)
    OptiMOS?-T2
  • 關(guān)閉延遲時間
    15 ns
  • 下降時間
    10 ns
  • 上升時間
    3 ns

Physical

  • 引腳數(shù)
    8
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 制造商封裝
    TDSON-8

Compliance

  • RoHS
    yes

IPG20N04S409ATMA1 數(shù)據(jù)手冊

IPG20N04S409ATMA1 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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