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      IXDN630MYI

      IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5

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      IXDN630MYI 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        低邊
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        1
      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 輸出電流
        30 A
      • 輸出電壓
        9 V
      • 負(fù)載類型
        MOSFET；IGBT
      • 類型
        IGBT, N通道, P通道 MOSFET
      • 電源電壓(Min)
        9 V
      • 電源電壓(Max)
        35 V
      • 電壓(Min)
        9 V
      • 接通延遲時間
        100 ns
      • 峰值脈沖電流
        30 A
      • 關(guān)閉延遲時間
        100 ns
      • 供電電流
        10 μA
      • 傳播延遲
        65 ns
      • 下降時間
        11 ns
      • 上升時間
        11 ns

      Physical

      • 重量
        0.056438 oz
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        TO-263-5

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

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      • 文檔
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