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      Infineon

      BSZ0909NSATMA1

      MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON

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      BSZ0909NSATMA1 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        9 A
      • 輸入偏置電容@15V
        1.31 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電壓
        34 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@20A,10V
        12 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        12 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2 V
      • 柵極電荷@10V
        17 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        4.5 ns
      • 功率耗散
        2.1 W, 25 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        16 ns
      • 下降時(shí)間
        2 ns
      • 上升時(shí)間
        2.2 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TSDSON-8

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        yes

      BSZ0909NSATMA1 EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BSZ0909NSATMA1 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      BSZ0909NSATMA1 圖片

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