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ON Semiconductor

4N30M

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

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4N30M 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    150 mA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@2mA,8mA
    1 V
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    30 V
  • 隔離電壓
    4.17 kV
  • 通道數(shù)量
    1
  • 輸出類型
    達(dá)林頓晶體管
  • 輸出端數(shù)量
    1
  • 輸出電流
    150 mA
  • 輸出電壓
    30 V
  • 輸入電流
    80 mA
  • 輸入電壓類型
    DC
  • 電流傳遞比
    100 %
  • 每個(gè)通道的輸出電流
    150 mA
  • 正向電流
    80 mA
  • 正向電壓
    1.2 V
  • 反向電壓
    3 V
  • 反向擊穿電壓
    3 V
  • 功率耗散
    250 mW
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    40 μs
  • 上升時(shí)間
    5 μs

Physical

  • 重量
    0.030159 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度(Min)
    -40 °C
  • 工作溫度(Max)
    100 °C
  • 工作溫度
    100 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    DIP-6

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Pb-free

4N30M EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

4N30M 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
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    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • fair-s-a0002364162-1.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

4N30M 圖片

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