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      Infineon

      BCR503E6393HTSA1

      Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 100 MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

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      BCR503E6393HTSA1 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        500 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@2.5mA,50mA
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 阻抗
        2.2 kΩ
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@50mA,5V
        40
      • 晶體管類型
        NPN-Pre-Biased
      • 功率耗散
        330 mW

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-236-3

      BCR503E6393HTSA1 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
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      • Huaqiu Chip

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