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      ON Semiconductor

      FDZ1905PZ

      Mosfet Array 900mW Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)

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      FDZ1905PZ 器件參數(shù)

      Function

      • 阻值
        99 mΩ
      • 閾值電壓
        1 V
      • 連續(xù)漏極電流
        3 A
      • 類型
        雙P溝道(共漏)
      • 漏源電阻
        126 mΩ
      • 漏源電壓
        -20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        126 mΩ
      • 柵源電壓
        8 V
      • 柵源極閾值電壓@250mA
        700 mV
      • 晶體管類型
        2個P溝道(雙)
      • 接通延遲時間
        12 ns
      • 功率耗散
        1.5 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        143 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時間
        36 ns
      • 上升時間
        36 ns
      • FET功能
        Logic Level Gate

      Physical

      • 重量
        10 mlb
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        WLCSP-6(1.5x1x0.6)

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      Dimension

      • 高度
        650 μm
      • 長度
        1 mm
      • 寬度
        1.5 mm

      FDZ1905PZ EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FDZ1905PZ 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • FDZ1905PZ
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Digikey

      FDZ1905PZ 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip