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Renesas Electronics

70V3579S5BFI

IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA

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70V3579S5BFI 器件參數(shù)

Function

  • 頻率
    100 MHz
  • 訪問時(shí)間
    10 ns
  • 電源電壓
    3.15 V, 3.3 V, 3.45 V
  • 接口類型
    并聯(lián)
  • 接口
    Parallel
  • 存儲(chǔ)密度
    1.125 Mb
  • 存儲(chǔ)器類型
    SRAM
  • 存儲(chǔ)器容量
    1 Mb
  • 地址總線寬度
    30 bit
  • 同步/異步
    Synchronous
  • 單詞大小
    36 bit
  • 供電電流
    415 mA

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    208
  • 工作溫度
    -40 °C, 85 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tray
  • 包裝數(shù)量
    7
  • 制造商封裝
    CABGA-208(15x15)

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Contains Lead

Dimension

  • 長(zhǎng)度
    15 mm
  • 寬度
    15 mm
  • 厚度
    1.4 mm

70V3579S5BFI EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

70V3579S5BFI 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
    標(biāo)題
    上傳于
    來(lái)源
  • 70v3579-datasheet
    1年前
    Huaqiu Chip

70V3579S5BFI 圖片

  • Digikey

    Digikey

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip