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      ON Semiconductor

      NJVMJD42CT4G

      Complementary Power Transistor, 3-Pin DPAK, Pb-Free, Tape and Reel

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      NJVMJD42CT4G 器件參數(shù)

      Function

      • 頻率
        1 MHz, 3 MHz
      • 集電極電流
        6 A
      • 集電極截止電流
        50 μA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@6A,600mA
        1.5 V
      • 集電極-基極電壓
        100 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        100 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        100 V
      • 配置
        Single
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        3 MHz
      • 電流增益 hFE@300mA,4V
        30
      • 極性
        PNP
      • 晶體管類型
        PNP
      • 增益帶寬乘積
        3 MHz
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        5 V
      • 功率耗散
        20 W
      • 擊穿電壓
        100 V
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -65 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        DPAK-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        2.38 mm
      • 長(zhǎng)度
        6.73 mm
      • 寬度
        6.22 mm

      NJVMJD42CT4G EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NJVMJD42CT4G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      NJVMJD42CT4G 圖片

      • Future

        Future

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip