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      ON Semiconductor

      NID9N05ACLT4G

      Power MOSFET, 9 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET with ESD Protection, 3-Pin DPAK, Pb-Free, Tape and Reel

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      NID9N05ACLT4G 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        1.75 V
      • 閘/源截止電壓
        1.75 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        9 A
      • 輸出端數(shù)量
        1
      • 輸入偏置電容
        250 pF
      • 漏源電阻
        90 mΩ
      • 漏源電壓
        55 V
      • 漏源極擊穿電壓
        59 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        90 mΩ
      • 柵源電壓
        15 V
      • 柵極電荷@4.5V
        7 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        200 ns
      • 功率耗散
        1.74 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        2.5 μs
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • 無(wú)鹵素
        Halogen Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        2.38 mm
      • 長(zhǎng)度
        6.22 mm
      • 寬度
        6.73 mm

      NID9N05ACLT4G EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NID9N05ACLT4G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Farnell
      • Rev. 9
        1年前
        Altium Library
      • NID9N05ACLT4G
        1年前
        Huaqiu Chip

      NID9N05ACLT4G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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