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      Infineon

      IRLS3036-7PPBF

      60 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, 7-Pin D2PAK, Pb-Free, Tube

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      IRLS3036-7PPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        300 A
      • 輸入偏置電容@50V
        11.27 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        2.2 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻@180A,10V
        1.9 mΩ
      • 漏源導通電阻
        1.9 mΩ
      • 柵源電壓
        16 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷@4.5V
        160 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        81 ns
      • 功率耗散
        380 W
      • 關閉延遲時間
        89 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        170 ns
      • 上升時間
        540 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        7
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        D2PAK

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        4.83 mm
      • 長度
        10.67 mm
      • 寬度
        9.65 mm

      IRLS3036-7PPBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRLS3036-7PPBF 數(shù)據(jù)手冊

      IRLS3036-7PPBF 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip