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      HXY MOSFET

      BC848B

      晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):30V;集電極電流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;

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      BC848B 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@100mA,5mA
        500 mV
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        100 MHz
      • 電流增益 hFE@2mA,5V
        200
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        200 mW

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 制造商封裝
        SOT-23(TO-236)

      BC848B EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BC848B 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      BC848B 圖片