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ON Semiconductor

FQT13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4

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FQT13N06LTF 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    2.8 A
  • 額定電壓
    60 V
  • 閾值電壓
    2.5 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    2.8 A
  • 輸入偏置電容
    350 pF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    110 mΩ
  • 漏源電壓
    60 V
  • 漏源極擊穿電壓
    60 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,1.4A
    110 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    110 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    2.5 V
  • 柵極電荷@5V
    6.4 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    8 ns
  • 功率耗散
    2.1 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    20 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    40 ns
  • 上升時(shí)間
    90 ns

Physical

  • 配置
    Single
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT-223

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    1.6 mm
  • 長度
    6.5 mm
  • 寬度
    3.56 mm

FQT13N06LTF EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

FQT13N06LTF 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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    標(biāo)題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • poYBAGLixmyASgH-AA4zfl6do8I558.pdf
    1年前
    Huaqiu Chip

FQT13N06LTF 圖片

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