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Rohm

RW1C025ZPT2CR

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT

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RW1C025ZPT2CR 器件參數(shù)

Function

  • 連續(xù)漏極電流
    2.5 A
  • 輸入偏置電容
    1.3 nF
  • 漏源電壓
    20 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    65 mΩ
  • 柵源電壓
    10 V
  • 柵極電荷@4.5V
    21 nC
  • 晶體管類型
    P溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    9 ns
  • 功率耗散
    700 mW
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    110 ns
  • 下降時(shí)間
    50 ns
  • 上升時(shí)間
    18 ns

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    6
  • 工作溫度
    -55 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    SOT563,SOT666

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

RW1C025ZPT2CR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

  • 文檔
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    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip

RW1C025ZPT2CR 圖片

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  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip