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      Vishay

      SI7958DP-T1-E3

      Mosfet Array 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual

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      SI7958DP-T1-E3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 閘/源截止電壓
        3 V
      • 配置
        Dual
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        7.2 A
      • 漏源電阻
        16.5 mΩ
      • 漏源電壓
        40 V
      • 漏源極擊穿電壓
        40 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        16.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        75 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        17 ns
      • 功率耗散
        1.4 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        66 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時(shí)間
        17 ns
      • 上升時(shí)間
        17 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.01787 oz
      • 端子間距
        1.27 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        1.04 mm
      • 長度
        4.9 mm
      • 寬度
        5.89 mm

      SI7958DP-T1-E3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Digikey
      • 1年前
        Farnell
      • SI7958DP-T1-E3
        1年前
        Huaqiu Chip

      SI7958DP-T1-E3 圖片

      • Farnell

        Farnell

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip