立年電子科技產(chǎn)品

• E3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:54

  

  產(chǎn)品型號：E3M0120090J 漏源電壓:：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：50A 功耗：83W

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• C3M0065090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:42

  

  產(chǎn)品型號：C3M0065090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：90A 雪崩能量，單脈沖：110mJ

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• C3M0065090D碳化硅MOSFET2022-05-22 10:28

  

  產(chǎn)品型號：C3M0065090D 漏源電壓：900V 柵極 源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 源極電壓動態(tài)：-8/+19V 脈沖漏極電流：22A 功耗：45W

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• C3M0030090K碳化硅MOSFET2022-05-22 10:16

  

  產(chǎn)品型號：C3M0030090K 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態(tài)：-4/+15V 柵極 -源極電壓靜動：-8/+19V 脈沖漏極電流：200A 功耗：240W

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• C3M0120065K碳化硅MOSFET2022-05-21 22:04

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：51A 功耗：86W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0120065J碳化硅MOSFET2022-05-21 21:54

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120065J 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：51A 功耗：86W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• PC3M0120065L碳化硅MOSFET2022-05-21 21:44

  

  產(chǎn)品型號：PC3M0120065L 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：51A 功耗：98W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0120065D碳化硅MOSFET2022-05-21 21:40

  

  產(chǎn)品型號：C3M0120065D 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：51A 功耗：98W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0060065J碳化硅MOSFET2022-05-21 18:00

  

  產(chǎn)品型號：C3M0060065J 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：99A 功耗：136W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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• C3M0060065D碳化硅MOSFET2022-05-21 17:52

  

  產(chǎn)品型號：C3M0060065D 漏源電壓：650A 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：99A 功耗：150W 工作結(jié)溫和存儲溫度：-40 to +175?C

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