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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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立年電子科技產品

  • CGH55015F2高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-19 11:03

    產品型號:CGH55015F2 頻率:4.5 至 6.0 GHz 操作 增益:5.65 GHz 時 12 dB 小信號增益 PSAT功率:13 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 60% 的效率 電壓:28 伏操作
  • CGH40010F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-19 10:36

    產品型號:CGH40010F-AMP 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率:13 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 65 %
  • CGH40010F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-19 10:34

    產品型號:CGH40010F 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率:13 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 65 %
  • CGH40010P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-19 10:31

    產品型號:CGH40010P 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 14 dB 小信號增益 PSAT功率:13 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率為 65 %
  • CG2H40010F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 15:38

    產品型號:CG2H40010F-AMP 頻率:高達 8 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率:17 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 70% 的效率
  • CG2H40010P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:35

    產品型號:CG2H40010P 頻率:高達 8 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率:17 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 70% 的效率
  • CG2H40010F高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:28

    產品型號:CG2H40010F 頻率:高達 8 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 18 dB 小信號增益 增益:4.0 GHz 時 16 dB 小信號增益 PSAT功率:17 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 70% 的效率
  • CGH60008D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 15:08

    產品型號:CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA:8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA:5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐壓性:高擊穿電壓 環(huán)境:高溫操作 頻率:高達 6 GHz 的操作
  • CGHV1J006D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 14:36

    產品型號:CGHV1J006D-GP4 增益:17分貝典型。10 GHz 時的小信號增益 PAE:60% 典型值。10 GHz 時的 PAE Psat:6 W 典型 Psat 電壓:40 伏操作 頻率:高達 18GHz 的操作
  • CGH40006P-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 14:16

    產品型號:CGH40006P-AMP 頻率:高達 6 GHz 的操作 增益:2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益:6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN:PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓:28 V 操作