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深圳市宏源世紀(jì)科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機(jī),存儲器,MOS場效應(yīng)管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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AOS/萬代 AON7410 DFN33 MOSFET場效應(yīng)管

型號: AON7410

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 AON7410
  • 數(shù)量 6580
  • 封裝 DFN33
  • 品牌 AOS/萬代
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

特點(diǎn)
述AON7410采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供低柵極電荷的優(yōu)秀RDS(ON)。該設(shè)備適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和LoadSwitch應(yīng)用。符合RoHS和無鹵素標(biāo)準(zhǔn)
功能VDS(V)=30VID=24A(VGS=10V)RDS(ON)<20m? (VGS=10V)RDS(ON)<26m? (VGS=4.5V)100%UIS測試100%Rg測試

描述
A: RθJA的值是用安裝在1in2 FR-4板上的裝置測量的,帶有2oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。功率耗散PDSM基于RθJA t≤10s值和150°C的最大允許結(jié)溫。任何給定應(yīng)用程序中的值都取決于用戶的特定板設(shè)計(jì),如果PCB允許,可以使用150°C的最高溫度。B.功耗PD基于TJ(MAX)=150°C,使用結(jié)-殼熱阻,在使用額外散熱的情況下設(shè)置功耗上限更有用。C: 重復(fù)額定值,脈沖寬度受結(jié)溫限制TJ(MAX)=150°C。D.RθJA是從結(jié)到情況RθJC和從情況到環(huán)境的熱阻之和。E.圖1至圖6中的靜態(tài)特性是使用<300ms脈沖獲得的,占空比最大為0.5%。這些曲線基于結(jié)-殼熱阻,該熱阻是用安裝在大型散熱器上的設(shè)備測量的,假設(shè)最大結(jié)溫度為TJ(max)=150°C。G.最大額定電流受連接線的限制。H.這些測試是在設(shè)備安裝在1 in2 FR-4板上的情況下進(jìn)行的,板上有2 oz。銅,在TA=25°C的靜止空氣環(huán)境中。SOA曲線提供單個(gè)脈沖額定值。
 

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