特點(diǎn)
對(duì)于同步MOSFET Q2，Rds（導(dǎo)通）是一個(gè)重要特性；然而，柵極電荷的重要性再次不容忽視，因?yàn)樗绊懭齻€(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。在輕負(fù)載下，MOSFET仍然必須由控制IC導(dǎo)通和截止，因此柵極驅(qū)動(dòng)損耗變得更加顯著。其次，輸出電荷Qoss和反向恢復(fù)電荷Qrr都產(chǎn)生了傳輸?shù)絈1的損耗，并增加了器件中的損耗。第三，柵極電荷將影響MOSFET對(duì)Cdv/dt導(dǎo)通的敏感性。Q2的漏極連接到轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)，因此可以看到地和Vin之間的轉(zhuǎn)換。當(dāng)Q1導(dǎo)通和截止時(shí)，漏極電壓dV/dt有一個(gè)變化率，該變化率電容耦合到Q2的柵極，并且可以在柵極上引起足以導(dǎo)通MOSFET的電壓尖峰，從而產(chǎn)生擊穿電流。必須將Qgd/Qgs1的比率最小化，以降低Cdv/dt導(dǎo)通的電勢(shì)。
