### 產(chǎn)品簡介：
16N50E-VB是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用平面（Plannar）技術(shù)。這款MOSFET適用于各種高壓應(yīng)用，具有較高的漏極-源極電壓（VDS）和較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能夠在要求高性能和可靠性的應(yīng)用中發(fā)揮作用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明：
- **封裝：** TO220F
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 550V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±30V
- **Vth（門閾電壓）：** 3V
- **RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）：** 260mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏極電流）：** 18A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例：
1. **電源供應(yīng)器：** 16N50E-VB適用于高壓電源供應(yīng)器模塊，如電視機(jī)、電腦顯示器和LED照明系統(tǒng)中的開關(guān)電源。
2. **電動(dòng)汽車充電樁：** 這款MOSFET可以用于電動(dòng)汽車充電樁中的開關(guān)電源，其高漏極-源極電壓和漏極電流能夠支持快速充電和高效率。
3. **工業(yè)控制系統(tǒng)：** 16N50E-VB可用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的電源開關(guān)和逆變器，其高性能和可靠性使其成為工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

這些領(lǐng)域和模塊只是16N50E-VB可能應(yīng)用的幾個(gè)例子，具體應(yīng)用取決于設(shè)計(jì)要求和環(huán)境條件。