### 24NK55Z-VB 產品簡介

24NK55Z-VB 是一款高性能的單 N 溝道 MOSFET，設計用于要求高電壓和高電流的應用。采用了 SJ_Multi-EPI 技術，具有低導通電阻和高漏極電流能力，適用于各種高性能電源管理和開關應用。

### 24NK55Z-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO247
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 80mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 40A
- **技術類型**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊舉例

**電力傳輸**:
24NK55Z-VB 可用于高壓電力傳輸系統(tǒng)中的開關和保護裝置。其高額定電壓和電流能夠滿足高壓環(huán)境下的需求。

**太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中，該產品可用于高壓開關和功率逆變器。其高可靠性和高性能使其成為太陽能逆變器制造商的理想選擇。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中，24NK55Z-VB 可用于高壓開關和電源管理。其高額定電壓和電流確保了電動汽車充電樁的高效率和可靠性。

**工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制領域，該產品可用于高壓開關和逆變器。其低導通電阻和高漏極電流能力確保了在高負載條件下的穩(wěn)定性和效率。

24NK55Z-VB 通過在多種高壓高性能應用中的廣泛應用，展示了其作為高性能 MOSFET 的優(yōu)越性能，為工程師提供了一種可靠的解決方案。