--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 寬電壓范圍 3.8V至24V
- 過壓保護(hù) 所有引腳具備過壓保護(hù)功能
- 反向電壓保護(hù) VDD引腳具有反向電壓保護(hù)
- 封裝類型 SOT89B-3
- 供電電流 1.6mA至5.2mA
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品描述
HAL202TQ-K是一款由Micronas生產(chǎn)的高性能霍爾效應(yīng)傳感器,采用CMOS技術(shù)制造。這款傳感器集成了溫度補(bǔ)償霍爾板、活動偏移補(bǔ)償、比較器和開路漏極輸出晶體管。它專為工業(yè)和汽車應(yīng)用設(shè)計,能夠在3.8V至24V的供電電壓下工作,并在-40°C至170°C的結(jié)溫范圍內(nèi)操作。
產(chǎn)品特性
- 溫度補(bǔ)償:內(nèi)置的溫度補(bǔ)償功能保證了在不同溫度下的性能穩(wěn)定性。
- 寬電壓范圍:適用于3.8V至24V的寬范圍供電電壓。
- 機(jī)械應(yīng)力抵抗:活動偏移補(bǔ)償技術(shù)使傳感器對機(jī)械應(yīng)力影響具有魯棒性。
- 過壓保護(hù):所有引腳具備過壓保護(hù)功能。
- 反向電壓保護(hù):VDD引腳具有反向電壓保護(hù)。
- 短路保護(hù):通過熱關(guān)閉保護(hù)開路漏極輸出。
- 寬溫度范圍內(nèi)恒定的開關(guān)點:內(nèi)置的負(fù)溫度系數(shù)補(bǔ)償了由于溫度上升導(dǎo)致的磁場密度降低。
- 高ESD等級:具有高靜電放電等級,符合EMC標(biāo)準(zhǔn)ISO 7637。
- 封裝類型:SMD封裝SOT89B-3
應(yīng)用領(lǐng)域
- 工業(yè)自動化:用于機(jī)器和設(shè)備的磁場檢測和位置感測。
- 汽車應(yīng)用:在汽車系統(tǒng)中用于檢測磁場變化,如變速箱位置感測。
- 位置和速度檢測:在需要精確位置反饋的應(yīng)用中,如機(jī)器人技術(shù)和自動化設(shè)備。
- 角度和旋轉(zhuǎn)感測:適用于需要測量角度或旋轉(zhuǎn)速度的應(yīng)用。
技術(shù)規(guī)格摘要
- 供電電流:在-40°C至+170°C溫度范圍內(nèi),供電電流為1.6mA至5.2mA。
- 過壓保護(hù):VDD引腳的過壓保護(hù)為-15V至32V。
- 輸出電壓:輸出電壓在-0.3V至28V范圍內(nèi)。
- 輸出漏電流:在25°C時,輸出關(guān)閉狀態(tài)下的漏電流小于10μA。
- 內(nèi)部振蕩器頻率:在62kHz至更高頻率范圍內(nèi)。
- 啟用時間:輸出在設(shè)置VDD后的啟用時間為35μs。
- 上升時間和下降時間:分別為75ns至400ns。
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