特點(diǎn)
- 采用 BAM（批量采集模式）的動(dòng)態(tài)效率線 
采集模式）
- 1.7 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍
- 內(nèi)核 ARM? 32 位 Cortex?-M4 CPU，帶 FPU、 
自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器（ART 
加速器（ART 
閃存，頻率高達(dá) 84 MHz、 
內(nèi)存保護(hù)單元，105 DMIPS/
1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及 DSP 
指令
- 內(nèi)存
- 高達(dá) 256 Kbytes 的閃存
- 512 字節(jié) OTP 存儲(chǔ)器
- 多達(dá) 64 千字節(jié)的 SRAM
- 時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
- 1.7 V 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
- POR、PDR、PVD 和 BOR
- 4-26 MHz 晶體振蕩器
- 內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC 
- 用于 RTC 的 32 kHz 振蕩器，帶校準(zhǔn)功能
- 帶校準(zhǔn)的內(nèi)部 32 kHz RC
- 功耗
- 運(yùn)行：128 μA/MHz（外設(shè)關(guān)閉）
- 停止（閃存處于停止模式，快速喚醒 
時(shí)間）： 42 μA typ @ 25 °C；
25 °C 時(shí)最大 65 μA
- 停止（閃存處于深度掉電模式、 
慢喚醒時(shí)間）：低至 10 μA typ@ 
25 °C 時(shí)最大 28 μA
- 待機(jī)：2.4 μA @ 25 °C / 1.7 V（無(wú) RTC 
待機(jī)：2.4 μA @25 °C / 1.7 V（無(wú) RTC）；12 μA @85 °C @1.7 V
- 用于 RTC 的 VBAT 電源：1 μA @25 °C
- 1×12 位、2.4 MSPS A/D 轉(zhuǎn)換器：最多 16 
通道
- 通用 DMA：16 個(gè)流 DMA 
控制器，支持 FIFO 和突發(fā)
- 多達(dá) 11 個(gè)定時(shí)器：多達(dá) 6 個(gè) 16 位、2 個(gè) 32 位