HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC功率放大器，工作頻率范圍為4.9至5.9 GHz。 該放大器采用低成本、無鉛表面貼裝封裝，帶有裸露基座以改善RF和散熱性能。 它采用極少的外部元件提供20 dB增益，飽和功率為+26 dBm（34% PAE時），電源電壓為+3V。 Vpd可用于全省電模式或RF輸出功率/電流控制。 對于+15 dBm OFDM輸出功率（64 QAM，54 Mbps），HMC415LP3(E)可實現(xiàn)3.7%的誤差矢量幅度(EVM)，從而滿足802.11a線性度要求。
特性
增益： 20 dB
34% PAE (Psat = +26 dBm)
3.7% EVM (Pout = +15 dBm)
具有54 Mbps OFDM信號
電源電壓： +3 V
省電功能
外部器件數(shù)量少
應(yīng)用
802.11a WLAN
HiperLAN WLAN
接入點
UNII和ISM無線電
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