特點(diǎn)

W25X10CL（1M位）串行閃存為容量有限的系統(tǒng)提供了一種存儲(chǔ)解決方案
空間、引腳和電源。25X系列提供的靈活性和性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了普通串行
閃存設(shè)備。它們是代碼下載應(yīng)用程序以及存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇。
這些設(shè)備在單個(gè)2.3V至3.6V電源上運(yùn)行，電流消耗低至1mA
激活，斷電時(shí)為1μA。所有設(shè)備均提供節(jié)省空間的包裝。
W25X10CL陣列被組織成512個(gè)可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256個(gè)字節(jié)。高達(dá)256
字節(jié)可以一次編程。W25X10CL有32個(gè)可擦除扇區(qū)，4個(gè)可擦除32KB
塊和2個(gè)可擦除64KB塊。4KB的小扇區(qū)提供了更大的靈活性
需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序。（見圖2。）
W25X10CL支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI）和高性能雙
輸出以及雙I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)DI（I/O 0）、DO（I/O 1）。SPI時(shí)鐘
支持高達(dá)104MHz的頻率，使用時(shí)允許208MHz的等效時(shí)鐘速率
快速讀取雙輸出指令。這些傳輸速率與8位和16位的傳輸速率相當(dāng)
并行閃存。連續(xù)讀取模式允許以最少的時(shí)間進(jìn)行高效的內(nèi)存訪問
由于讀取24位地址需要16個(gè)時(shí)鐘的指令開銷，因此允許真正的XIP（就地執(zhí)行）
操作。
固定引腳、寫保護(hù)引腳和可編程寫保護(hù)，帶頂部或底部陣列控制
這些功能提供了進(jìn)一步的控制靈活性。此外，該設(shè)備支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

描述

? 串行閃存系列——W25X10CL:1M位/128K字節(jié)（131072）——每個(gè)可編程頁(yè)256字節(jié)——統(tǒng)一可擦除4KB、32KB和64KB區(qū)域。
? 帶單/雙輸出/I/O的SPI-標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold-雙SPI:CLK，/CS，IO0，IO1，/WP，/Hold
? 數(shù)據(jù)傳輸高達(dá)208M比特/秒-時(shí)鐘操作頻率為104MHz–208MHz等效雙I/O SPI-自動(dòng)增量讀取功能
? 高效的“連續(xù)讀取模式”–低指令開銷–連續(xù)讀取–只需16個(gè)時(shí)鐘即可尋址內(nèi)存–允許真正的XIP

? 軟件和硬件寫保護(hù)-寫保護(hù)全部或部分內(nèi)存-使用/WP引腳啟用/禁用保護(hù)-頂部或底部陣列保護(hù)
? 4KB扇區(qū)的靈活架構(gòu)——統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4/32/64千字節(jié)）——頁(yè)面程序高達(dá)256字節(jié)<1ms——超過100000個(gè)擦除/寫入周期——超過20年的數(shù)據(jù)保留期
? 低功耗，寬溫度范圍–單電源2.3V至3.6V–1mA有功電流，<1μA掉電（典型）–-40°至+85°C工作范圍
? 空間高效封裝–8針SOIC–8焊盤USON 2x3 mm–聯(lián)系華邦了解KGD和其他選項(xiàng)