總體說明
AGM15T13F 結(jié)合了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)和低電阻封裝，以實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 。
該器件非常適合用于負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。
特性
- 先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)
- 低導(dǎo)通電阻 RDS(ON)，將傳導(dǎo)損耗降至最低
- 低柵極電荷，實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)
- 低熱阻
- 100% 經(jīng)過雪崩測(cè)試
- 100% 經(jīng)過動(dòng)態(tài)雪崩電壓應(yīng)力（DVDS）測(cè)試
應(yīng)用
- 內(nèi)存 / 顯卡核心電壓（MB/VGA Vcore）
- 開關(guān)電源（SMPS）二次側(cè)同步整流器
- 負(fù)載點(diǎn)（POL）應(yīng)用
- 無刷直流（BLDC）電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
