--- 產品參數(shù) ---
- 工作頻率 DC-2.2GHz
- 功率 100W-50dBm
--- 產品詳情 ---
NPT2010B 是一款由 MACOM 生產的寬帶 GaN(氮化鎵)射頻功率晶體管,專為高頻、高功率應用而設計。以下是其詳細的技術參數(shù)和應用場景:
### 技術參數(shù)
- **工作頻率范圍**:DC 至 2.2 GHz。
- **輸出功率**:
- 在 2.2 GHz 下,連續(xù)波(CW)輸出功率可達 100 W(50 dBm)。
- **增益**:在 2.2 GHz 下,增益為 17 dB。
- **效率**:
- 在 2.2 GHz 下,漏極效率大于 60%。
- 功率附加效率(PAE)為 50%。
- **工作電壓**:48 V。
- **封裝類型**:高可靠性陶瓷鍍金法蘭封裝。
- **溫度范圍**:最高結溫可達 200°C。
- **駐波比**:在所有相位和設備無損壞的情況下,最高可達 10:1。
### 特性
- **寬帶優(yōu)化**:針對 DC 至 2.2 GHz 的寬帶操作進行優(yōu)化。
- **高效率**:在 2.2 GHz 下,漏極效率大于 60%,功率附加效率(PAE)為 50%。
- **高可靠性**:在所有相位和設備無損壞的情況下,最高可達 10:1 的電壓駐波比失配。
- **專有技術**:采用 SIGANTIC? NRF1 工藝,這是一種專有的 GaN-on-Silicon 技術。
### 應用場景
- **國防通信**:適用于需要高功率和高效率的通信系統(tǒng)。
- **陸地移動無線電**:適用于需要高功率輸出的移動通信系統(tǒng)。
- **航空電子設備**:用于航空電子系統(tǒng)中的高頻通信。
- **無線基礎設施**:用于無線基站等設備。
- **ISM 應用**:適用于工業(yè)、科學和醫(yī)療設備。
- **VHF/UHF/L 波段雷達**:用于雷達系統(tǒng)中的高功率發(fā)射。
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